Bambonghore Tekno | Samsung targetkan semikonduktor dengan pemrosesan 4nm di 2020

  • Share

Samsung Electronics hari ini mengumumkan sebuah roadmap dari teknologi proses pengecoran yang komprehensif buat membantu pelanggan merancang dan memproduksi chip yg lebih cepat dan hemat energi. Dari data center berskala besar sampai ke Internet of Things (IoT), tren industri buat menyebarkan perangkat pandai yang selalu aktif dan terhubung akan memberikan akses warta yang belum pernah terjadi sebelumnya pada konsumen menggunakan cara baru & & lebih bertenaga. Secara spesifik, Samsung dipastikan akan memimpin industri dengan 8nm, 7nm, 6nm, 5nm, 4nm dan 18nm FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) pada peta jalan teknologi pemrosesan terbarunya.

"Mesin pandai & terhubung yg secara alami terdapat dimana-mana serta perangkat konsumen sehari-hari mengindikasikan dimulainya revolusi industri berikutnya," kata Yoon Jong-shik, wapres Eksekutif Foundry Business di Samsung Electronics. "Untuk memenangkan persaingan pada lingkungan usaha yg serba cepat saat ini, pelanggan kami memerlukan mitra pengecoran menggunakan peta jalan yang komprehensif pada pemrosesan node yg canggih buat mencapai tujuan & sasaran bisnis mereka."

Teknologi dan solusi pengecoran modern berdasarkan Samsung yang diperkenalkan pada Samsung Foundry Forum tahunan mencakup:

  • 8LPP (8nm Low Power Plus): 8LPP memberikan manfaat penskalaan yang paling kompetitif sebelum beralih ke litografi EUV (Extreme Ultra Violet). Menggabungkan inovasi kunci dari dari teknologipemrosesan 10nm Samsung, 8LPP menawarkan manfaat tambahan di bidang kepadatan kinerja dan gate dibandingkan dengan 10LPP.
  • 7LPP (7nm Low Power Plus): 7LPP akan menjadi teknologi pemrosesan semikonduktor pertama yang menggunakan solusi litografi EUV. Penggunaan sumber daya maksimum EUV sebesar 250W, yang merupakan tonggak paling penting bagi penyisipan EUV menjadi produksi volume tinggi, dikembangkan melalui kolaborasi antara Samsung dan ASML. Penyebaran litografi EUV akan mematahkan hambatan penskalaan hukum Moore, membuka jalan bagi generasi teknologi semikonduktor nanometer tunggal.
  • 6LPP (6nm Low Power Plus): 6LPP akan mengadopsi solusi Smart Scaling unik dari Samsung, yang akan digabungkan di atas teknologi 7LPP berbasis EUV, yang memungkinkan penskalaan area dan manfaat daya rendah lebih besar.
  • 5LPP (5nm Low Power Plus): 5LPP memperluas batas skala fisik struktur FinFET dengan menerapkan inovasi teknologi dari generasi proses berikutnya, 4LPP, untuk penskalaan area yang lebih baik dan keuntungan penggunaan daya yang sangat rendah.
  • 4LPP (4nm Low Power Plus): 4LPP akan menjadi implementasi pertama dari arsitektur perangkat generasi berikutnya – struktur MBCFET (Multi Bridge Channel FET). MBCFET adalah teknologi unik GAAFET (Gate All Around FET) milik Samsung yang menggunakan perangkat Nanosheet untuk mengatasi keterbatasan fisik dan keterbatasan kinerja arsitektur FinFET.
  • FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator): Cocok untuk aplikasi IoT, Samsung secara bertahap akan memperluas teknologi 28FDS-nya untuk penawaran platform yang lebih luas dengan memasukkan opsi RF (Radio Frequency) dan eMRAM (embedded Magnetic Random Access Memory). 18FDS adalah node generasi berikutnya pada roadmap FD-SOI milik Samsung dengan PPA (Power/Performance/Area) yang telah ditingkatkan.

Yoon Jong-shik menyimpulkan bahwa "roadmap teknologi pemrosesan sophisticated milik Samsung Foundry merupakan bukti sifat kerja sama menurut interaksi kemitraan dengan pelanggan & ekosistem kita. Dimasukkannya teknologi pemrosesan di atas akan memungkinkan ledakan perangkat baru yang akan menghubungkan konsumen dengan cara yg belum pernah ada sebelumnya."

 

Dilansir dari google, bing dan berbagai web lainnya, berikut kami merangkum artikel Samsung targetkan semikonduktor dengan pemrosesan 4nm di 2020, semoga informasi ini bermanfaat.

Baca Juga :   Bambonghore Tekno | Mengapa Samsung membuang Android di Wearable Device? Ini alasannya
  • Share

Leave a Reply

Your email address will not be published.

seven − four =